◆最新マルチクライアント調査レポート：2025年06月25日予定
メモリー関連市場の最新動向調査 2025
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多層化や微細化、ウェハ積層などによる技術進化が進むメモリー市場を材料動向やメモリーメーカー各社のケーススタディから徹底分析 |
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| −調査の背景− |
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- NAND、DRAMの各メモリーは12inのシリコンウェハ需要の約半数を占めており、半導体市場全体においても非常に大きなウェイトを占めている。
- 当該市場は2022年から2023年にかけて、COVID-19感染拡大やロシアによるウクライナ情勢の影響により、メモリーが搭載されるセット機器市場が軒並み不調となった。メモリーメーカーはこの影響で在庫過多となり大幅な生産調整を余儀なくされた。
- 2024年は在庫調整により、再度在庫の積み増し需要が発生し、後半からはセット機器市況も徐々に回復の兆しが見え始めている。また、AI対応による容量増などもあり市況は緩やかに好転していくとみられる。
- 市場のトピックスとしては、米中貿易摩擦の深刻化に伴うサプライチェーンの2極化が挙げられ、中国内需に向けた中国ローカルメーカーのメモリー開発競争の激化と米国における工場の誘致がともに補助金ベースで行われている。また、中国や台湾を介さないサプライチェーンについてもセット機器メーカーを中心に構築が進んでおり、メモリーメーカーの投資戦略にも影響を与えている。
- 技術面のトピックスとしては、NANDで大容量化の進展とともに多層化が進んでいることが挙げられる。すでに量産ベースで300層を超える製品が上市されており、R&Dベースではさらに多層化を進めていく開発が行われている。多層化が進むことでウェハボンディングや極低温エッチングなど材料や装置の進化も重要な要素となっている。
- DRAMは微細化とHBMを用いた高帯域メモリーに注目が集まっており、特にHBMはDRAMメーカー各社が戦略的にNANDの投資を据え置いてまで積極的に投資を行う状況となっている。
- 本マルチクライアント特別調査企画では、半導体業界の一大マーケットであるメモリーを軸に、アプリケーション、メモリーそのもの、構成材料や装置を統合的に分析することにより、メモリー市場の今後の動向、メモリーメーカー各社の実力、今後の投資計画、技術動向を明らかにする。
- ■調査のポイント
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- メモリー市場の需給バランスの変化、今後の動向を整理
- メモリーメーカー各社の最新の投資動向、注力ポイント、戦略について分析
- NAND／DRAMそれぞれの市場要求に対する技術ロードマップを予測
- 米中貿易摩擦に端を発する自国産業保護、サプライチェーンの変化を整理
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| −調査対象− |
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- 1. メモリーデバイス
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- NAND（2D／3D-NAND）
- DRAM（DDR／LPDDR／GDDR／HBM）
- 2. アプリケーション
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- スマートフォン
- PC（デスクトップ／ノート）
- サーバー（汎用／AI）
- SSD
- その他アプリケーション（ゲーム機、車載など）
- 3. 関連材料
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■前工程関連材料
シリコンウェハ
フォトレジスト
CMPスラリー
電極材料（Mo、Wなど）
洗浄材など
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■後工程関連材料
パッケージ基板（WB系、FC系）
バックグラインドテープ
ダイシングテープなど
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- 4. メモリーメーカーケーススタディ
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■グローバル
キオクシア
Micron Technology
Samsung El.
SK Hynix
Western Digital
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■中国ローカル
CXMT（長キン存儲技術）
YMTC（長江存儲科技）
XMC（新芯集成電路）
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| −目次− |
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- 1. 総括
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- 1) メモリーデバイスの世界市場
- 2) 各メモリーメーカーの製造ラインと設備投資動向
- 3) 最新技術動向
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(1) 3D-NANDにおけるウェハボンディング技術採用動向と多層化の進展
(2) DRAMにおけるプロセスルールの微細化とEUV露光技術の採用拡大
(3) HBMの大容量化／高速化と工法の変化（CoW／WoW）
(4) AI対応によるメモリーの大容量化と高速化
- 4) 業界関連動向
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(1) 米国・中国政府によるメモリー業界への支援、政策動向
(2) No China／In China戦略による外資系メーカーの中国工場の位置付け
- 5) アプリケーション動向
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(1) 出荷台数推移
(2) メモリー搭載容量の推移
(3) メモリー実装方法の変化
- 2. メモリー市場動向
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- 1) 製品概要
- 2) 市場動向
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- (1) 市場規模推移（2024〜2030年）
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(a) 容量ベース
(b) チップ個数ベース
(c) パッケージ個数ベース
- (2) 3Dパッケージ採用率推移（2024〜2030年）
- (3) 用途別ウェイト（2024／2025／2030年）
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(a) 容量ベース
(b) チップ個数ベース
(c) パッケージ個数ベース
- (4) タイプ別ウェイト（パッケージベース、2024／2025／2030年）
- (5) 価格動向（2025年Q1／Q2）
- 3) シリコンウェハ枚数推移（2024〜2030年）
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(1) インプット枚数ベース（前工程投入枚数ベース）
(2) アウトプット枚数ベース（後工程投入枚数ベース）
(3) ボンディングウェハ採用率の変化
(4) メモリー製造工程と歩留まりに影響を与える要因、改善策
- 4) メーカー動向
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(1) メーカーシェア（容量ベース、2024／2025年）
(2) 前工程／後工程拠点
(3) 生産委託状況
(4) 新製品開発／設備投資動向
- 5) 製品開発ロードマップ
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共通：微細化、ボンディングウェハ採用、1チップ容量、チップサイズの変化など
NAND：多層化、セルスタック数の変化など
DRAM：EUV利用層数の変化、高速化、チップスタック数の増加、3Dパッケージ採用など
- 3. 関連部材動向 （シリコンウェハ、パッケージ基板と他3〜4品目予定）
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- 1) 製品概要
- 2) 市場動向
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(1) 市場規模推移（数量／金額ベース、2024年〜2030年）
(2) メーカーシェア（数量ベース、2024／2025年）
(3) タイプ別ウェイト（数量ベース、2024／2025／2030年）
(4) 価格動向（2025年Q1／Q2）
- 3) サプライチェーン （2025年Q1時点）
- 4) メモリーメーカーからの要求の変化
- 5) 製品開発ロードマップ
- 4. メモリーメーカーケーススタディ （5〜6社予定）
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- 1) メーカー概要、取扱製品
- 2) メモリー事業の概況
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(1) 業績推移（売上高、容量、パッケージ個数ベース、2024／2025年）
(2) 用途別ウェイト（容量／パッケージ個数ベース、2024／2025年）
(3) タイプ別ウェイト（容量／パッケージ個数ベース、2024／2025年）
- 3) メモリー製造関連動向
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(1) 生産拠点、ライン一覧（前工程、後工程、生産品目）、生産委託先
(2) 前工程生産能力と稼働率（2025年Q1時点）
(3) 設備投資動向（拠点新設／売却／転用、生産能力増強、新プロセス導入など）
(4) 製品ロードマップ（NAND多層化／BW技術の導入、DRAM微細化、3D-DRAMの実現タイミングなど）
- 4) 主要アプリケーションメーカーに対する納入関係（2025年Q1時点）
- 5) 主要部材・製造装置の調達状況、中国製品の採用状況
- 6) CHIPS法成立による影響（中国工場の位置付け、米国進出、顧客の変化など）
- ※都合により多少の項目変更が発生する場合があります。
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