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| −はじめに− |
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- 2024年は、日本、米国、欧州の景気回復が鮮明になり、AIやインフラ（データセンター）への設備投資が増加した。AIやデータセンターを支える半導体は需要性を増してきているが、Si半導体だけでなく、化合物半導体を採用する動きも活発になってきている。Siデバイスと比較して化合物半導体デバイスはスイッチングスピード、耐圧などでSiを凌牙するため、AIの進化を緩めることなく、SDGsや低炭素化社会を同時に実現する切り札として期待されている。
- ただし、化合物半導体を取り巻く市場環境は悪化している。欧米ではインフレ圧力をコントロールするために、各国の中央銀行は金利を上げて対応をしてきた。このため、ローンを使用するケースが多い自動車の購入、特に価格の高いEVは勢いを失いつつある。このため、補助金の打ち切りや減額の廃止によりEV販売の成長を脅かす恐れも出てきている。
- 世界の経済をけん引してきた中国はEV王国としても知られており、不動産バブルがはじけて厳しい状況に追い込まれている。日本ではUSDに対する円安が家計を圧迫し、消費マインドを冷やし始めている。2024年にトランプ大統領候補が勝利し、再び米中貿易摩擦の影響により化合物半導体の勢力図が変化しようとしている。世界情勢は極めて不安定になっており、好調だったEVを否定し、ガソリン車擁護の声も出始めているほど混乱の様相を呈している。
- 化合物半導体の需要を支える個別の用途に目を向けるとパワーデバイスはEVが需要の中心であり、短期的には多少の逆風を受けつつも脱炭素化の大きな流れに沿って増加していくとみられる。インバーター制御の自動車、装置などをSiC（炭化ケイ素）がSiデバイスを置き換える形で増加していくとみられる。化合物半導体の中では「ポストSiC」という言葉が出てくるくらい一般化してきている。新しい材料もGa2O3デバイスに加え、ダイヤモンドやGeO2（酸化ゲルマニウム）デバイスなど優れたポテンシャルを持つ製品の開発も盛んになってきた。
- RFデバイスは5G通信で期待に添わない投資により、やや市場が停滞気味になってしまったが市場の目は6G通信とその投資に向いている。特に基地局に使用される化合物半導体はSiデバイスから化合物デバイスへと移行しており、基地局の増加台数が化合物半導体のRF用途の動向を左右すると言っても過言ではないように推察される。
- 光デバイスはMiniLED、MicroLEDにより市場が活気づいてきた。低価格化や効率を求めるため多数の製造方法が検討されている。良い意味での競争原理が働き、技術革新が進む好循環サイクルに突入した。インフラの構築に大きく貢献し、低消費電力化の先に見据えるSDGsの社会を実現する一歩としてスタートを切っている。
- 本市場調査資料は化合物半導体の用途、技術の変化をまとめている。Si代替ではなく確立した市場として化合物半導体を捉え、本市場調査資料の企画立案に至った。関係各位が本市場調査資料を今後の事業戦略立案・展開において役立てていただくことを切に望むものである。
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| −調査目的− |
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- 本市場調査資料では化合物半導体とその有望アプリケーション、関連する部材の市場や製品トレンドを整理することで、当該市場における事業展開に有益な情報を提供することを目的とした。
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| −調査対象− |
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- ■調査対象品目
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| 調査セグメント
| 対象品目数
| 調査対象
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| アプリケーション
| 4品目
| データセンター、基地局、自動車、モバイル機器
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| 化合物半導体
| パワーデバイス
| 5品目
| GaN on GaN パワー、GaN on Si パワー、GaN on サファイア パワー、SiC on SiC パワー、その他次世代系パワー（Ga2O3、GeO2、ダイヤモンド）
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| RFデバイス
| 4品目
| GaAs RF、GaN on SiC RF、GaN on Si RF、その他次世代系RF（InP、Ga2O3、ダイヤモンド）
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| LEDパッケージ
| 2品目
| 赤外光LEDパッケージ、紫外光LEDパッケージ
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| LEDチップ
| 4品目
| GaN系LEDチップ、GaAs・GaP系LEDチップ、赤外光LEDチップ、紫外光LEDチップ
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| MiniLED・MicroLED
| 2品目
| MiniLED、MicroLED
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| LD
| 3品目
| VCSEL・PCSEL、DFB／CW＋SiPh／ITLA／IC-TROSA、ファブリペロー／QD LD／励起レーザー
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| その他光デバイス
| 2品目
| 化合物エリアイメージセンサー、PD・APD
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| 関連部材
| 基板
| 9品目
| GaAs基板、GaN on Others基板、GaN基板、InP基板、SiC基板、AlN基板、ダイヤモンド基板、Ga2O3基板、GeO2基板
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| その他部材
| 11品目
| 放熱基板（AlN）、放熱基板（Si3N4）、放熱基板（Al2O3）、放熱基板（メタル）、シンタリングペースト、放熱ギャップフィラー、放熱シート、厚銅基板、セラミックパッケージ、ボンディングワイヤ、DIP＋はんだ／プレスフィット／バスバー
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| 合計
| 46品目
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| −調査項目− |
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- ■アプリケーション
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- 1) 製品概要／定義
- 2) ワールドワイド市場動向
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■市場規模推移・予測
- 3) 国、地域別動向
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- 4) 化合物半導体の採用動向
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(1) 製品別採用動向
(2) 注目デバイスの動向
- 5) 技術動向
- 6) 関連企業動向
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- ■化合物半導体／関連部材
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- 1) 製品概要／定義
- 2) ワールドワイド市場動向
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(1) 市場規模推移・予測
(2) 価格動向（2024年Q4時点）
(3) 国、地域別 動向
- 3) タイプ別動向
- 4) メーカーシェア
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- 5) 主要メーカー生産拠点、動向
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(1) 生産拠点
(2) メーカー動向
- 6) 用途別動向
- 7) 用途一覧
- 8) 製品ロードマップ
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| −目次− |
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- 1.0 総括（1）
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- 1.1 化合物半導体デバイス関連市場の動向（3）
- 1.2 化合物半導体市場規模推移・予測（7）
- 1.3 化合物半導体市場動向（9）
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1.3.1 化合物パワーデバイス市場動向（9）
1.3.2 化合物RFデバイス市場動向（15）
1.3.3 化合物光デバイス市場動向（19）
1.3.4 非可視光LEDの業界マップと成長性（31）
1.3.5 化合物基板の技術ロードマップと用途別すみ分け（33）
1.3.6 化合物半導体向け放熱部材動向（42）
1.3.7 化合物半導体関連実装部材の動向（48）
- 2.0 アプリケーション（51）
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2.1 データセンター（53）
2.2 基地局（57）
2.3 自動車（61）
2.4 モバイル機器（67）
- 3.0 化合物半導体（73）
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3.1 パワーデバイス（75）
3.1.1 GaN on GaN パワー（75）
3.1.2 GaN on Si パワー（79）
3.1.3 GaN on サファイア パワー（84）
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3.1.4 SiC on SiC パワー（87）
3.1.5 その他次世代系パワー
（Ga2O3、GeO2、ダイヤモンド）（94）
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3.2 RFデバイス（101）
3.2.1 GaAs RF（101）
3.2.2 GaN on SiC RF（105）
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3.2.3 GaN on Si RF（110）
3.2.4 その他次世代系RF
（InP、Ga2O3、ダイヤモンド）（112）
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3.3 LEDパッケージ（116）
3.3.1 赤外光LEDパッケージ（116）
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3.3.2 紫外光LEDパッケージ（120）
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3.4 LEDチップ（125）
3.4.1 GaN系LEDチップ（125）
3.4.2 GaAs・GaP系LEDチップ（131）
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3.4.3 赤外光LEDチップ（135）
3.4.4 紫外光LEDチップ（139）
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3.5 MiniLED・MicroLED（143）
3.5.1 MiniLED（143）
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3.5.2 MicroLED（150）
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3.6 LD（156）
3.6.1 VCSEL・PCSEL（156）
3.6.2 DFB／CW＋SiPh／ITLA／IC-TROSA（161）
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3.6.3 ファブリペロー／QD LD／励起レーザー（164）
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3.7 その他光デバイス（167）
3.7.1 化合物エリアイメージセンサー（167）
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3.7.2 PD・APD（171）
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- 4.0 関連部材（175）
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4.1 基板（177）
4.1.1 GaAs基板（177）
4.1.2 GaN on Others基板（182）
4.1.3 GaN基板（187）
4.1.4 InP基板（192）
4.1.5 SiC基板（197）
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4.1.6 AlN基板（202）
4.1.7 ダイヤモンド基板（207）
4.1.8 Ga2O3基板（212）
4.1.9 GeO2基板（217）
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4.2 その他部材（220）
4.2.1 放熱基板（AlN）（220）
4.2.2 放熱基板（Si3N4）（223）
4.2.3 放熱基板（Al2O3）（227）
4.2.4 放熱基板（メタル）（231）
4.2.5 シンタリングペースト（236）
4.2.6 放熱ギャップフィラー（242）
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4.2.7 放熱シート（246）
4.2.8 厚銅基板（251）
4.2.9 セラミックパッケージ（253）
4.2.10 ボンディングワイヤ（257）
4.2.11 DIP＋はんだ／プレスフィット／バスバー（261）
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